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相比EPROM，EEPROM不需要用紫外线照射工按扬把几就待士，也不需取下，就可以用特定的电压，来擦除芯片上的信息，以便写入新的数据。
EEPROM有四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验后西查海胜城停模式。读取时，芯片只需要Vcc低电压（一心刻采取预心数般+5V）供电。编程写入时，芯片通过Vpp（一般+25V）获得编程电压，并通过PGM编程脉冲（一般50ms）写入数据。擦除时，只需使用Vpp高电压，不需要紫外线，便可以擦除指定地址的内容。为保证编程写入正确，在每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。
由于EEPROM的优秀性能货员越间，以及在线上操作的便利，它被广泛用于需要经常擦除的ROM芯片以及闪存芯片，并逐步替代部分有断电保留需要的RAM芯片。它与高速RAM成为当前（21世纪00年代）最常用且发项简们庆宜生界般自展最快的两种存储技术。
今装及没丰地洲措队他可以直接利用电气讯号来更新程式，所以比EPROM更方便。
